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PDTD123T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTD123T
廠商型號(hào)

PDTD123T

參數(shù)屬性

PDTD123T 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線;包裝為剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

功能描述

NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線

文件大小

243.15 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-19 20:02:00

PDTD123T規(guī)格書詳情

Features

* Built-in bias resistors

* Simplifies circuit design

*500 mA output current capability

* Reduces component count

* Reduces pick and place costs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PDTD123TS,126

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 50mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 2.5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NXP
1048+;/
SOT23
500
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
NXP/恩智浦
23+
NA/
36250
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NXP
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NXP/恩智浦
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NXP/恩智浦
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SOT23-3
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NEXPERIA/安世
21+
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30000
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NXP/恩智浦
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