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PHD71NQ03LT中文資料恩XP數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHD71NQ03LT
廠商型號

PHD71NQ03LT
功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET
文件大小

220.18 Kbytes
頁面數(shù)量

13 頁
生產(chǎn)廠商 未知制造商
企業(yè)簡稱

恩XP

中文名稱

未知制造商
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-5-29 14:22:00
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PHD71NQ03LT規(guī)格書詳情

General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

Features and benefits

■ Simple gate drive required due to low gate charge

■ Suitable for logic level gate drive sources

Applications

■ DC-to-DC convertors

■ Switched-mode power supplies

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    PHD71NQ03LT

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
恩XP
23+
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TO-252
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