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PHKD3NQ10T

DualN-channelTrenchMOSstandardlevelFET

1.1Generaldescription DualstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina plasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefit

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PHKD3NQ10T

DualN-channelTrenchMOStransistor

GENERALDESCRIPTION DualN-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?Dualdevice ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching ?Lowprofilesurfacemountpackage Applications:- ?Motorandrelaydrivers ?d.c.tod.c.conver

PhilipsNXP Semiconductors

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更多PHKD3NQ10T-VB供應(yīng)商 更新時間2025-5-19 11:06:00

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