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PHN210中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHN210
廠商型號

PHN210

功能描述

Dual N-channel enhancement mode TrenchMOSTM transistor

文件大小

213.25 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-20 9:04:00

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PHN210規(guī)格書詳情

FEATURES

? Dual device

? Low threshold voltage

? Fast switching

? Logic level compatible

? Surface mount package

GENERAL DESCRIPTION

Dual N-channel enhancement

mode field-effect transistor in a

plastic envelope using ’trench’

technology.

Applications:-

? Motor and relay drivers

? d.c. to d.c. converters

? Logic level translator

The PHN210 is supplied in the

SOT96-1 (SO8) surface mounting

package.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PHN210

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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