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PMDT670UPE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMDT670UPE
廠商型號

PMDT670UPE

功能描述

20 V, 550 mA dual P-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識

AG

封裝外殼

SOT666

文件大小

262.87 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 14:16:00

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PMDT670UPE規(guī)格書詳情

1. General description

Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead

SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

? ESD protection up to 2 kV

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? High-side loadswitch

? Switching circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PMDT670UPE

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    MOSFET P CH DUAL 20V 550MA SOT666

  • 功能描述:

    MOSFET, P CH, DUAL, 20V, 550MA, SOT666

  • 功能描述:

    MOSFET, P CH, DUAL, 20V, 550MA, SOT666, Transistor

  • Polarity:

    Dual P Channel, Cont

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEXPERIA
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NXP(恩智浦)
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