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PMDXB950UPE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
PMDXB950UPE |
| 功能描述 | 20 V, dual P-channel Trench MOSFET |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | SOT1216 |
| 文件大小 |
732.4 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-7 13:00:00 |
PMDXB950UPE規(guī)格書詳情
1. General description
Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small
DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench
MOSFET technology.
2. Features and benefits
? Trench MOSFET technology
? Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm
? Exposed drain pad for excellent thermal conduction
? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM
? Drain-source on-state resistance RDSon = 1.02 Ω
3. Applications
? Relay driver
? High-speed line driver
? High-side load switch
? Switching circuits
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA |
23+ |
DFN1010B-6 |
51000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NXP(恩智浦) |
24+ |
N/A |
20000 |
原裝進(jìn)口正品 |
詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
DFN1010B |
3500 |
原裝正品假一罰百!可開增票! |
詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
24+ |
DFN1010B-6 |
5270 |
原盒原盤正品現(xiàn)貨 假一賠十 |
詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
DFN6 |
9852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨,或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
NEXPERIA |
21+ |
SOT1216 |
6000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
XFDFN-6 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
- |
23+ |
NA |
468215 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
60000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
NEXPERIA/安世 |
21+ |
SOT1216 |
60000 |
詢價(jià) |
