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PMGD780SN中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	PMGD780SN
功能描述	Dual N-channel μTrenchMOS standard level FET
文件大小	338.45 Kbytes
頁面數(shù)量	15 頁
生產(chǎn)廠商	Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱	NEXPERIA【安世】
中文名稱	安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標識
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更新時間	2025-5-7 22:58:00
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1.1 General description

Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a small SOT363 (SC-88)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOS technology.

1.2 Features and benefits

1.3 Applications

Surface-mounted package

Footprint 40 smaller than SOT23

Standard level threshold voltage

Fast switching

Low on-state resistance

Dual device

Driver circuits

Switching in portable appliances

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