PMPB09R5TP中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	PMPB09R5TP
功能描述	20 V, P-channel Trench MOSFET
絲印標(biāo)識	ZL
封裝外殼	SOT1220-2
文件大小	304.89 Kbytes
頁面數(shù)量	14 頁
生產(chǎn)廠商	Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱	NEXPERIA【安世】
中文名稱	安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間	2025-2-15 18:26:00

1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power

DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Low threshold voltage

? Trench MOSFET technology

? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm

? Exposed drain pad for excellent thermal conduction

3. Applications

? Charging switch for portable devices

? DC-to-DC converters

? Power management in battery-driven portable devices

? Computing power management

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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