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PMR670UPE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PMR670UPE
廠商型號(hào)

PMR670UPE

功能描述

20 V, 480 mA P-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

AD

封裝外殼

SOT416

文件大小

467.86 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-6 23:40:00

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PMR670UPE規(guī)格書詳情

1.1 General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

? ESD protection up to 2 kV

? AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? High-side loadswitch

? Switching circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PMR670UPE

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    MOSFET P CH 20V 480MA SOT416

  • 功能描述:

    MOSFET, P CH, 20V, 480MA, SOT416

  • 功能描述:

    MOSFET, P CH, 20V, 480MA, SOT416, Transistor Polarity

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NXP
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