零件編號(hào) | 下載 訂購 | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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PR6003-T | 6.0A FAST RECOVERY RECTIFIER Features DiffusedJunction FastSwitchingforHighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop SurgeOverloadRatingto300APeak LowReverseLeakageCurrent LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4) MechanicalData Case:R-6 CaseMaterial:MoldedPlastic.UL | DIODES Diodes Incorporated | DIODES | |
PR6003-T | 6.0A FAST RECOVERY RECTIFIER | DIODES Diodes Incorporated | DIODES | |
PR6003-T | Package:R-6,軸向;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:DIODE GEN PURP 200V 6A R6 | PAM Diodes Incorporated | PAM | |
PROGRAMMABLEDUAL-RANGED.C.POWERSUPPLY | GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 固緯電子固緯電子實(shí)業(yè)股份有限公司 | GWINSTEK | ||
3串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 | ETC | |||
NPNDarlingtonTransistors NPNDarlingtonTransistorsTO-204MA(TO-3) | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | ||
Fits7/8(22mm)diameterholes | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商 | etc2 | ||
P-Channel60V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司 | VBSEMI | ||
PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory | PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司 | PANJIT | ||
600V-20A-IGBTandDiodeHighSpeedPowerSwitching Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching tr=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
PR6003-T
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- 二極管類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 電流 - 平均整流 (Io):
6A
- 速度:
快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)
- 不同?Vr、F 時(shí)電容:
140pF @ 4V,1MHz
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
R-6,軸向
- 供應(yīng)商器件封裝:
R-6
- 工作溫度 - 結(jié):
-65°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 200V 6A R6
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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DIODES/美臺(tái) |
23+ |
NA |
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