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PSEK6002

FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)

POWERSEM

Powersem GmbH,

PTC6002

NPNDarlingtonTransistors

NPNDarlingtonTransistorsTO-204MA(TO-3)

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

R6002END

Nch600V2APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

R6002END

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

R6002ENH

Nch600V2APowerMOSFET

lFeatures 1)Lowon-resistance 2)Fastswitching 3)Paralleluseiseasy 4)Pb-freeplating;RoHScompliant lApplication Switching

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RJK6002DJE

600V-2A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=5.7Ωtyp.(atID=1A,VGS=10V,Ta=25°C) ?Lowleakagecurrent ?Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJK6002DPD

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

RJK6002DPD

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance ?Lowleakagecurrent ?Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJK6002DPD

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

RJK6002DPE

600V-2A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=5.7Ωtyp.(atID=1A,VGS=10V,Ta=25°C) ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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專營模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨
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更多PS-6002供應(yīng)商 更新時間2025-3-21 9:00:00

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