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PSMN9R1-30YL中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PSMN9R1-30YL
廠商型號

PSMN9R1-30YL

功能描述

N-channel 9.1 m廓 30 V TrenchMOS logic level FET in LFPAK

文件大小

925.45 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-16 23:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PSMN9R1-30YL

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP/恩智浦
23+
NA/
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