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PTB20006中文資料愛立信數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PTB20006
廠商型號

PTB20006
功能描述

4 Watts, 860-900 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
文件大小

44.97 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 Ericsson Microelectronics
企業(yè)簡稱

Ericsson【愛立信】

中文名稱

愛立信公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-20 11:41:00
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PTB20006規(guī)格書詳情

Description

The 20006 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor intended for 25 Vdc operation across the 860 to 900 MHz frequency band. Rated at 4 watts minimum output power, it may be used for both CW and PEP applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization are used to ensure excellent device reliability. 100 lot traceability is standard.

? 4 Watts, 860–900 MHz

? Class AB Characteristics

? 50 Collector Efficiency at 4 Watts

? Gold Metallization

? Silicon Nitride Passivated

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    PTB20006

  • 功能描述：

    射頻放大器 RF Bipolar Trans

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 類型：

    Low Noise Amplifier

  • 工作頻率：

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB：

    18.5 dBm

  • 輸出截獲點(diǎn)：

    37.5 dBm

  • 功率增益類型：

    32 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    0.85 dB

  • 工作電源電壓：

    5 V

  • 電源電流：

    125 mA

  • 測試頻率：

    2.6 GHz

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    QFN-16

  • 封裝：

    Reel

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