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PTF180101S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PTF180101S |
| 參數(shù)屬性 | PTF180101S 封裝/外殼為H-32259-2；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2 |
| 功能描述 | LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz |
| 封裝外殼 | H-32259-2 |
| 文件大小 |
310.59 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-22 17:08:00 |
| 人工找貨 | PTF180101S價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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更多PTF180101S規(guī)格書詳情
PTF180101S屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTF180101S晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
Description
The PTF180101 is a 10 W, internally–matched GOLDMOS FET device intended for EDGE applications in the DCS/PCS band. Full gold metallization
ensures excellent device lifetime and reliability.
Features
? Typical EDGE performance
- Average output power = 4.0 W
- Gain = 19.0 dB
- Efficiency = 28
- EVM = 1.1
? Typical WCDMA performance
- Average output power = 1.8 W
- Gain = 18.0 dB
- Efficiency = 20
- ACPR = –45 dBc
? Typical CW performance
- Output power at P–1dB = 15 W
- Efficiency = 50
? Integrated ESD protection:
Human Body Model Class 1 (minimum)
? Excellent thermal stability
? Low HCI drift
? Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,
10 W (CW) output power
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PTF180101S V1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 系列：
GOLDMOS?
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
1.99GHz
- 增益：
19dB
- 額定電流（安培）：
1μA
- 功率 - 輸出：
10W
- 封裝/外殼：
H-32259-2
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-32259-2
- 描述：
FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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