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PTF210101M分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PTF210101M |
| 參數(shù)屬性 | PTF210101M 封裝/外殼為10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 |
| 功能描述 | High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 ??2170 MHz |
| 封裝外殼 | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） |
| 文件大小 |
276.3 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-19 17:58:00 |
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PTF210101M屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTF210101M晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
Description
The PTF210101M is an unmatched 10-watt GOLDMOS? FET intended for class AB base station applications in the 2110 to 2170 MHz band. This LDMOS device offers excellent gain, efficiency and linearity performance in a small footprint.
Features
? Typical WCDMA performance
- Average output power = 2.0 W
- Gain = 15 dB
- Efficiency = 20
- ACPR = –45 dB
? Typical CW performance
- Output Power at P–1dB = 10 W
- Gain = 14 dB
- Efficiency = 50
? Integrated ESD protection:
Human Body Model Class 1 (minimum)
? Excellent thermal stability
? Low HCI drift
? Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,
10 W (CW) output power
? Pb-free and RoHS compliant
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
PTF210101M V1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 系列：
GOLDMOS?
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
2.17GHz
- 增益：
15dB
- 額定電流（安培）：
1μA
- 功率 - 輸出：
10W
- 封裝/外殼：
10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-RFP-10
- 描述：
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Tyco/泰科 |
1736+ |
DIP |
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INFINEON |
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INFINEON/英飛凌 |
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24+ |
SMD |
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