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PTFA212001E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTFA212001E
廠商型號(hào)

PTFA212001E
參數(shù)屬性

PTFA212001E 封裝/外殼為H-36260-2；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2
功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 2110 ??2170 MHz
FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2
封裝外殼

H-36260-2
文件大小

402.76 Kbytes
頁面數(shù)量

11 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-4 16:04:00
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PTFA212001E規(guī)格書詳情

PTFA212001E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA212001E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PTFA212001EV4R250XTMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    2.14GHz

  • 增益：

    15.8dB

  • 額定電流（安培）：

    10μA

  • 功率 - 輸出：

    50W

  • 封裝/外殼：

    H-36260-2

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    H-36260-2

  • 描述：

    FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
2019+
SMD
6992
原廠渠道 可含稅出貨
 詢價(jià)
ERICSSON/愛立信
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢
 詢價(jià)
INF
21+
NA
12588
原裝正品,自己庫存 假一罰十
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
22+
H-37260-2
20000
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單支持
 詢價(jià)
ADI
23+
H-37260-2
7000
詢價(jià)
Infineon Technologies
2022+
H-36260-2
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
INFINEON
24+
SMD
5500
長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實(shí)單可談
 詢價(jià)
INFINEON
23+
SMDQFN
12800
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
 詢價(jià)
INFINEON
22+
NA
8000
終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單
 詢價(jià)
Infineon Technologies
21+
H-36260-2
20000
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