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PTFA261702E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PTFA261702E |
| 參數(shù)屬性 | PTFA261702E 封裝/外殼為2-扁平封裝，葉片引線(xiàn)；包裝為卷帶（TR）；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 170 W, 2500 - 2700 MHz |
| 封裝外殼 | 2-扁平封裝，葉片引線(xiàn) |
| 文件大小 |
372.84 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱(chēng) | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-12 18:26:00 |
PTFA261702E規(guī)格書(shū)詳情
PTFA261702E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA261702E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
PTFA261702E V1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類(lèi)型：
LDMOS
- 頻率：
2.66GHz
- 增益：
15dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
170W
- 封裝/外殼：
2-扁平封裝，葉片引線(xiàn)
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-30275-4
- 描述：
IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Celduc |
23+ |
6000 |
誠(chéng)信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤(pán) |
詢(xún)價(jià) | |||
INFINEON |
24+ |
SMD |
5500 |
長(zhǎng)期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實(shí)單可談 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON |
NA |
5500 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢(xún)價(jià) | |||
INFINEON |
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Celduc |
23+ |
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現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢(xún)價(jià) | |||
Infineon Technologies |
21+ |
H-30275-4 |
21000 |
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INFINEON/英飛凌 |
21+ |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
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INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) | ||
LEIDITECH(雷卯) |
24+ |
SMD |
10 |
C32-端子 |
詢(xún)價(jià) | ||
CELDUC |
24+ |
5000 |
全新原裝 |
詢(xún)價(jià) |
