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PTFB191501E分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PTFB191501E |
| 參數屬性 | PTFB191501E 封裝/外殼為2-扁平封裝，葉片引線；包裝為散裝；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：FET RF LDMOS 150W H36248-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 1930 ??1990 MHz |
| 封裝外殼 | 2-扁平封裝，葉片引線 |
| 文件大小 |
295.43 Kbytes |
| 頁面數量 |
15 頁 |
| 生產廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-15 12:00:00 |
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更多PTFB191501E規(guī)格書詳情
PTFB191501E屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產的PTFB191501E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產品屬性
更多- 產品編號：
PTFB191501EV1XWSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
1.99GHz
- 增益：
18dB
- 功率 - 輸出：
150W
- 封裝/外殼：
2-扁平封裝，葉片引線
- 供應商器件封裝：
H-36248-2
- 描述：
FET RF LDMOS 150W H36248-2
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
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