| 零件編號 | 下載 訂購 | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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Heyco?OriginalSeries-35LiquidTightCordgrips | HeycoHeyco. 海科 | Heyco | ||
CustomerSpecification | ALPHAWIREAlpha Wire 阿爾法電線 | ALPHAWIRE | ||
CustomerSpecification Construction 1)Component11X1HOOKUP a)Conductor16(7/24)AWGTinnedCopper0.060 b)Insulation0.010Wall,Nom.PVC,SemiRigid0.080+/-0.002 (1)Print ALPHAWIREE163869-*RUAWMSTYLE106180C300V VW-116AWG---LLXXXXCSAAWMIA/B80C300VOLTS FT1CEROHS {0}*=Factory | ALPHAWIREAlpha Wire 阿爾法電線 | ALPHAWIRE | ||
SPIprotocolfortheSTPMC1meteringdevice | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團 | STMICROELECTRONICS | ||
150VN-ChannelMOSFET | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體 | AOSMD | ||
BluetoothMultimediaSoC 1.1.Features ?Operationvoltagefrom2.8Vto5.2V ?Bluetooth4.1+EDRcompliant ?-90dBmsensitivityfor1Mbpsmodeand5dBmtransmitpower ?-107dBmsensitivityFMreceiver ?1-wireor4-wiresSD-cardinterface ?USB2.0hostanddevice ?Integrated90dBSNRADCandstereoDAC | BEKENBeken Corporation 博通集成博通集成電路(上海)股份有限公司 | BEKEN | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,5.7A,RDS(ON)=24mW@VGS=10V. RDS(ON)=36mW@VGS=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-89package. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,26A,RDS(ON)=25mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RDS(ON)=39mW@VGS=4.5V. TO-251&TO-252package. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,7.8A,RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■SurfacemountPackage. | CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,7.8A,RDS(ON)=28mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl
- 性質(zhì)：
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
- 最大電流允許值：
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
8
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
I-19
- vtest：
0
- htest：
999900
- atest：
0
- wtest：
0
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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SIP |
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23+ |
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20+ |
電阻器 |
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