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PXAD184218FV分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
![PXAD184218FV](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
廠商型號 |
PXAD184218FV |
參數(shù)屬性 | PXAD184218FV 封裝/外殼為H-37275G-6/2;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS H-37275G-6 |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 420 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz |
封裝外殼 | H-37275G-6/2 |
文件大小 |
465.76 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Cree, Inc |
企業(yè)簡稱 |
Cree【科銳】 |
中文名稱 | 科銳官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-14 17:02:00 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
PXAD184218FV-V1-R2
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
1.805GHz ~ 1.88GHz
- 增益:
14dB
- 額定電流(安培):
10μA
- 功率 - 輸出:
130W
- 封裝/外殼:
H-37275G-6/2
- 供應商器件封裝:
H-37275G-6/2
- 描述:
IC AMP RF LDMOS H-37275G-6
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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