PZT751T1G_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個-安森美半導(dǎo)體

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1+	￥3.58000
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廠家型號：
PZT751T1G
制造商：
ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
庫存數(shù)量：
0
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個
封裝外殼：
TO-261-4，TO-261AA
包裝：
剪切帶（CT）帶盒（TB）
安裝類型：
表面貼裝型
更新時間：
2025-2-14 14:06:00

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原廠料號：PZT751T1G品牌：onsemi

資料說明：TRANS PNP 60V 2A SOT223

PZT751T1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-261-4，TO-261AA的PZT751T1G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

芯片型號：
pzt751t1g
規(guī)格書：
原廠下載下載
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導(dǎo)體公司
資料說明：
TRANS PNP 60V 2A SOT223

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
PZT751T1G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
剪切帶（CT）帶盒（TB）
晶體管類型：
PNP
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
500mV @ 200mA，2A
電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
75 @ 1A，2V
頻率 - 躍遷：
75MHz
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝：
SOT-223（TO-261）
描述：
TRANS PNP 60V 2A SOT223

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PZT751T1G

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