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PZU6.8BL

SingleZenerdiodesinaSOD882package

1.1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOD882leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 1.2.Features ?Non-repetitivepeakrerversepowerdissipation:PZSM≤40W ?Totalpowerdissipation:Ptot≤250mW ?Toleranceseries:B:approximately±5

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

RD6.8E

500mWDHDZENERDIODEDO-35

DESCRIPTION NECTypeRD2.0EtoRD200ESeriesareplanartypezenerdiodeinthepopularDO-35packagewithDHD(DoubleHeatsinkDiode)constructionhavingallowablepowerdissipationof500mW.Tomeetvariousapplicationatcustomers,Vz(zenervoltage)isclassifiedintothetighttoleranceund

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

RD6.8E

SILICONZENERDIODES

EIC

EIC discrete Semiconductors

RD6.8E

500mWPLANARTYPESILICONZENERDIODES

TheRD2.0EtoRD120Earezenerdiodeswithanallowabledissipationof500mWandaplanartypeglasssealedDHD(doubleheatsinkdiode)structure. FEATURES ?Thezenervoltageserieshasawidevoltagerangeof2Vto120Vandisidealforstandardization. ?TheE24seriesisemployedforthe

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

RD6.8EAB

400mWDHDZENERDIODEDO-34

[NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

RD6.8EB

500mWDHDZENERDIODEDO-35

DESCRIPTION NECTypeRD2.0EtoRD200ESeriesareplanartypezenerdiodeinthepopularDO-35packagewithDHD(DoubleHeatsinkDiode)constructionhavingallowablepowerdissipationof500mW.Tomeetvariousapplicationatcustomers,Vz(zenervoltage)isclassifiedintothetighttoleranceund

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

RD6.8ES

400mWDHDZENERDIODEDO-34

[NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

RD6.8ES

ZENERDIODES

EIC

EIC discrete Semiconductors

RD6.8F

ZENERDIODES1WDO-41GLASSSEALEDPACKAGE

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

RD6.8F

ZENERDIODES

EIC

EIC discrete Semiconductors

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    PZU6.8B T/R

  • 功能描述：

    穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 齊納電壓：

    12 V

  • 電壓容差：

    5 %

  • 電壓溫度系數(shù)：

    0.075 %/K

  • 功率耗散：

    3 W

  • 最大反向漏泄電流：

    3 uA

  • 最大齊納阻抗：

    7 Ohms

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    DO-214AC

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
恩XP
21+
SOD-323
12588
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十
 詢價(jià)
恩XP
2011+PB
SOD323F
200000
詢價(jià)
恩XP
20+
SOD323F
36800
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
 詢價(jià)
NEXPERIA/安世
2447
SOD323F
100500
一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨
 詢價(jià)
NEXPERIA/安世
23+
SOD323F
6000
原裝正品假一罰百!可開(kāi)增票!
 詢價(jià)
恩XP
23+
SOD-323
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
恩XP
23+
SOD-323
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
PHI
23+
SOD
4500
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售!
 詢價(jià)
PHI
06+
SOD-323
24000
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
恩XP
SOD323F
3000
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
 詢價(jià)
更多PZU6.8B T/R供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-29 11:13:00

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