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R6011KND3

Marking：R6011K；Package：TO-252；Nch 600V 11A Power MOSFET

Features 1)Lowon-resistance 2)Ultrafastswitchingspeed 3)Paralleluseiseasy 4)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switching

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

R6012JNJ

Marking：R6012JNJ；Package：LPTS；Nch 600V 12A Power MOSFET

Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switchingapplications

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

R6012JNX

Marking：R6012JNX；Package：TO-220FM；Nch 600V 12A Power MOSFET

Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switchingapplications

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

R6013VND3

Marking：R6013VND3；Package：TO-252；Nch 600V 250mohm(typ.) Power MOSFET

Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant 6)Halogenfreemoldcompound Application Switchingapplications

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

R6013VNX

Marking：R6013VNX；Package：TO-220FM；Nch 600V 250mohm(typ.) Power MOSFET

Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant 6)Halogenfreemoldcompound Application Switchingapplications

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

R6014YND3

Marking：R6014YND3；Package：TO-252；Nch 600V 14A Power MOSFET

Features 1)Lowon-resistance 2)Fastswitching 3)Drivecircuitscanbesimple 4)Pb-freeleadplating;RoHScompliant 5)Halogenfreemoldcompound Application Switchingapplications

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

R6014YNX

Marking：R6014YNX；Package：TO-220FM；Nch 600V 215mohm(typ.) Power MOSFET

Features 1)Lowon-resistance 2)Fastswitching 3)Drivecircuitscanbesimple 4)Pb-freeplating;RoHScompliant 5)Halogenfreemoldcompound Application Switchingapplications

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

R6014YNX3

Marking：R6014YNX3；Package：TO-220AB；Nch 600V 215mohm(typ.) Power MOSFET

Features 1)Lowon-resistance 2)Fastswitching 3)Paralleluseiseasy 4)Pb-freeleadplating;RoHScompliant 5)Halogenfreemoldcompound Application Switchingapplications

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

R6018JNJ

Marking：R6018JNJ；Package：LPTS；Nch 600V 18A Power MOSFET

Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switchingapplications

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

R6018VNX

Marking：R6018VNX；Package：TO-220FM；Nch 600V 170mohm(typ.) Power MOSFET

Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant 6)Halogenfreemoldcompound Application Switchingapplications

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    R60

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+R

  • 性質(zhì)：

    開關(guān)管 （SW）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    KSR2110,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-15

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    R6

  • 制造商：

    Enhance Technology

  • 功能描述：

    ENHANCERAID R6 - 2U - Bulk

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多R6供應(yīng)商 更新時間2025-4-9 16:05:00

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