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R6035ENZ4C13_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-單個(gè)-Rohm Semiconductor

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原廠料號(hào)：R6035ENZ4C13品牌：Rohm Semiconductor

資料說明：MOSFET N-CH 600V 35A TO247

R6035ENZ4C13是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)。制造商Rohm Semiconductor生產(chǎn)封裝TO-247-3的R6035ENZ4C13晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭力。

  • 芯片型號(hào)：

    r6035enz4c13

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    MOSFET N-CH 600V 35A TO247

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    R6035ENZ4C13

  • 制造商：

    Rohm Semiconductor

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    35A（Tc）

  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：

    10V，15V

  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：

    102mOhm @ 35A，15V

  • 功率耗散（最大值）：

    379W（Tc）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 描述：

    MOSFET N-CH 600V 35A TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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