RD01MUS2B中文資料三菱電機(jī)數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
RD01MUS2B |
| 功能描述 | RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 527MHz,1W |
| 文件大小 |
2.69821 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Mitsubishi Electric Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
Mitsubishi【三菱電機(jī)】 |
| 中文名稱 | 三菱電機(jī)株式會(huì)社官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-7 17:09:00 |
RD01MUS2B規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
RD01MUS2B is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF RF amplifiers applications.
This device has an internal monolithic zener diode from gate to source for ESD protection.
FEATURES
? High power gain and High Efficiency.
Pout 1.6W Typ, Gp 15dBTyp, 70Typ @Vdd=7.2V,f=527MHz
? Integrated gate protection diode
APPLICATION
For output stage of high power amplifiers in VHF/UHF Band mobile radio sets.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
RD01MUS2B
- 制造商：
MITSUBISHI
- 制造商全稱：
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述：
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 527MHz,1W
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI |
24+ |
SMD |
3539 |
長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實(shí)單可談 |
詢價(jià) | ||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
MITSUBISHI/三菱 |
2021+ |
15000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | |||
MITSUBISHI/三菱 |
2022+ |
6600 |
只做原裝,假一罰十,長期供貨。 |
詢價(jià) | |||
MITSUBISHI |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量 |
詢價(jià) | ||||
MITSUBISHI/三菱 |
22+ |
SOT-89 |
3900 |
原裝優(yōu)勢(shì)!公司現(xiàn)貨供應(yīng)! |
詢價(jià) | ||
MITSUBISH |
16+ |
NA |
3500 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
MITSUBISHI |
SOT89 |
96079 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
MITSUBISHI |
24+ |
SOT89 |
11000 |
原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價(jià) | ||
MITSUBISHI |
SOT-89 |
3539 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長期供貨 |
詢價(jià) |
