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RFD10P03LSM9A中文資料HARRIS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

RFD10P03LSM9A
廠商型號(hào)

RFD10P03LSM9A

功能描述

10A, 30V, 0.200 ohm, Logic Level P-Channel Power MOSFET

文件大小

272.14 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Harris Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

HARRIS

中文名稱

Harris Corporation

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-3-25 15:05:00

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RFD10P03LSM9A規(guī)格書(shū)詳情

Description

These products are P-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as

switching regulators, switching converters, motor drivers, and relay drivers. These transistors can be operated directly from integrated circuits.

Features

? 10A, 30V

? rDS(ON)= 0.200?

? Temperature CompensatingPSPICE Model

? PSPICE Thermal Model

? Peak Current vs Pulse Width Curve

? UIS Rating Curve

? 175oC Operating Temperature

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FSC/ON
23+
原包裝原封 □□
1492
原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細(xì)咨詢 庫(kù)存
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