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RGSX5TS65E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
RGSX5TS65E |
| 參數(shù)屬性 | RGSX5TS65E 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V |
| 功能描述 | 650V 75A Field Stop Trench IGBT |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | TO-247N / TO-247-3 |
| 文件大小 |
5.307 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Rohm |
| 企業(yè)簡稱 |
ROHM【羅姆】 |
| 中文名稱 | 羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-23 23:00:00 |
| 人工找貨 | RGSX5TS65E價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
RGSX5TS65EHRC11
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.15V @ 15V，75A
- 開關(guān)能量：
3.44mJ（開），1.9mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
43ns/113ns
- 測試條件：
400V，75A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247N
- 描述：
8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM(羅姆) |
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