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RJH60D1DPE分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
RJH60D1DPE |
| 參數(shù)屬性 | RJH60D1DPE 封裝/外殼為SC-83；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 20A 52W LDPAK |
| 功能描述 | Silicon N Channel IGBT Application: Inverter |
| 封裝外殼 | SC-83 |
| 文件大小 |
170.02 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-24 15:23:00 |
| 人工找貨 | RJH60D1DPE價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多Features
? Short circuit withstand time (5 μs typ.)
? Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
? Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package
? Trench gate and thin wafer technology
? High speed switching
tf = 75 ns typ. (at VCC = 300 V, VGE = 15 V, IC = 10 A, Rg = 5 Ω, inductive load)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
RJH60D1DPE-00#J3
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝道
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，10A
- 開(kāi)關(guān)能量：
100μJ（開(kāi)），130μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
30ns/42ns
- 測(cè)試條件：
300V，10A，5 歐姆，15V
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SC-83
- 供應(yīng)商器件封裝：
LDPAK
- 描述：
IGBT 600V 20A 52W LDPAK
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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