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RJK0301DPB-02

30V, 60A, 2.8mΩ max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

Features ?Highspeedswitching ?Capableof4.5Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting ?Lowon-resistance RDS(on)=2.3mΩtyp.(atVGS=10V) ?Pb-free ?Halogen-free

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJK0301DPB-02_15

30V, 60A, 2.8m廓 max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多RJK0301DPB-02供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-7 16:04:00

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