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RJK03E6DPA中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJK03E6DPA
廠商型號

RJK03E6DPA

功能描述

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

文件大小

101.51 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-22 15:50:00

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RJK03E6DPA規(guī)格書詳情

Features

? High speed switching

? Capable of 4.5 V gate drive

? Low drive current

? High density mounting

? Low on-resistance

? Pb-free

? Halogen-free

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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