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RJK2017DPE-00-J3

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features ?Lowon-resistanceRDS(on)=0.036Ωtyp.(atID=22.5A,VGS=10V,Ta=25°C) ?Lowleakagecurrent ?Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    RJK2017DPE-00-J3

  • 制造商：

    RENESAS

  • 制造商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述：

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多RJK2017DPE-00-J3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-20 9:44:00

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