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RJP30E2DPK-M0中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJP30E2DPK-M0
廠商型號

RJP30E2DPK-M0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件大小

165.24 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-14 22:30:00

RJP30E2DPK-M0規(guī)格書詳情

Features

? Trench gate technology (G5H series)

? Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ

? High speed switching tf = 150 ns typ

? Low leak current ICES = 1 μA max

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    RJP30E2DPK-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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