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RJP60D0DPP-M0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features ?Shortcircuitwithstandtime(5?styp.) ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(IC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Gatetoemittervoltagerating?30V ?Pb-freeleadplating

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJP60D0DPP-M0-T2

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features ?Shortcircuitwithstandtime(5?styp.) ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(IC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Gatetoemittervoltagerating?30V ?Pb-freeleadplating

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瑞薩瑞薩科技有限公司

RJP60D0DPP-M0_15

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJP60D0DPP-M0#T2

Package：TO-220-3 整包；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 45A 35W TO-220FL

Renesas Electronics America Inc

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    RJP60D0DPP-M0

  • 制造商：

    RENESAS

  • 制造商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述：

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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十年配單,只做原裝
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RENESAS/瑞薩
23+
TO-220FL
6000
原裝正品，支持實單
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Renesas Electronics America
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TO-220FL
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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RENESAS/瑞薩
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TO-220F
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只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
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更多RJP60D0DPP-M0供應(yīng)商 更新時間2025-2-15 10:18:00

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