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RJP60V0DPM

600V - 22A - IGBT Application: Inverter

Features ●Highbreakdown-voltage ●LowCollectortoEmittersaturationVoltage VCE(sat)=1.5Vtyp.(atIC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) ●Shortcircuitwithstandtime(6?styp.) ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6Hseries)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJP60V0DPM-80

600V - 22A - IGBT Application: Inverter

600V-22A-IGBTApplication:Inverter Features ?Highbreakdown-voltage ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.5Vtyp.(atIC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Shortcircuitwithstandtime(6?styp.) ?Trenchgateandthinwafertechnology(G6

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RJP60V0DPM-80T2

600V - 22A - IGBT Application: Inverter

600V-22A-IGBTApplication:Inverter Features ?Highbreakdown-voltage ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.5Vtyp.(atIC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Shortcircuitwithstandtime(6?styp.) ?Trenchgateandthinwafertechnology(G6

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RJP60V0DPM_15

600V - 22A - IGBT Application: Inverter

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RJP60V0DPM-80_15

600V - 22A - IGBT Application: Inverter

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RJP60V0DPM-00#T1

Package：TO-220-3 整包；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

ACPDUC60V0Z-HF

SMDESDProtectionDiode

Features -Highcomponentdensity. -Surfacemountpackage. -Bi-directionalESDprotection. -Lowclampingvoltage. -Lowleakage. -AEC-Q101Qualified&PPAP.

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS/瑞薩
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更多RJP60V0DPM供應商 更新時間2025-2-23 14:30:00

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