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RLF8N60CT

N-Channel Power MOSFET

Features RDS(ON)

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

RLFGB8N60CT

IGBT

Features ?600V,8A ?VCE(sat)(typ.)=1.8V@VGE=15V,IC=8A ?Highspeedswitching ?Highersystemefficiency ?Softcurrentturn-offwaveforms ?SquareRBSOA GeneralDescription trenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UPS,

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

SIHJ8N60E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SLD8N60U

600VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司

SLF8N60C

600VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司

SLF8N60U

600VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司

SLP8N60C

600VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司

SLP8N60U

600VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司

SLU8N60U

600VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司

SSF8N60

Extremelyhighdv/dtcapability

SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD.

新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司

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更多RLF8N60CT供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 17:00:00