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RLPGB30N60CT

IGBT

Features 600V,30A VCE(sat)(typ.)=1.9V@VGE=15V,IC=30A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms GeneralDescription TrenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasSMPS,generalinverter andothersoftswitchingapp

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

SGB30N60

FastIGBTinNPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGB30N60

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

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SGP30N60HS

HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh

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