RM003N600ES2中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	RM003N600ES2
功能描述	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
絲印標識	127ZG
封裝外殼	SOT23
文件大小	161.06 Kbytes
頁面數(shù)量	5 頁
生產(chǎn)廠商	Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱	RECTRON
中文名稱	Rectron Semiconductor官網(wǎng)
原廠標識
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更新時間	2025-3-17 11:02:00
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Description

The RM003N600ES2 is an enhancement N-channel mode Power

FET, it uses advanced tec hnology to provide customers ultra

high switching speed and ultra low gate charge.

General Features

* RDS(ON)< 600 @ VGS= 4.5V, ID=0.016A

RDS(ON)< 500 @ VGS=10V, ID=0.016A

* Ultra Low Gate Charge (Typical 140nC)

* Ultra High Switching Speed

* Halogen-free

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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