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RM1A5N30S3AE中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RM1A5N30S3AE
廠商型號(hào)

RM1A5N30S3AE

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

1A5N30

封裝外殼

SOT-323

文件大小

430.88 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-3 17:02:00

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RM1A5N30S3AE規(guī)格書詳情

General Features

VDS =30V,ID =1.5A

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Excellent package for good heat dissipation

RDS(ON) <144mΩ @ VGS=4.5V

RDS(ON)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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