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RM21N650TI中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
RM21N650TI |
功能描述 | N-Channel Super Junction Power MOSFET III |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | TO-220F |
文件大小 |
1.27845 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Rectron Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
RECTRON |
中文名稱 | Rectron Semiconductor官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-5-1 15:32:00 |
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RM21N650TI規(guī)格書詳情
Features
New technology for high voltage device.
Low on-resistance and low conduction losses
Small package.
Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements
100% Avalanche Tested
OHS compliant
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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