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RM21N650TI中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RM21N650TI
廠商型號(hào)

RM21N650TI

功能描述

N-Channel Super Junction Power MOSFET III

絲印標(biāo)識(shí)

21N650

封裝外殼

TO-220F

文件大小

1.27845 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-5-1 15:32:00

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RM21N650TI規(guī)格書詳情

Features

New technology for high voltage device.

Low on-resistance and low conduction losses

Small package.

Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements

100% Avalanche Tested

OHS compliant

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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