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RM40N200TI中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RM40N200TI
廠商型號(hào)

RM40N200TI

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

40N200

封裝外殼

TO-220F

文件大小

203.4 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-22 22:50:00

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RM40N200TI規(guī)格書詳情

General Features

VDS =200V,ID =40A

RDS(ON) <41m @ VGS=10V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

Special process technology for high ESD capability

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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