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RM50N60T2中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RM50N60T2
廠商型號

RM50N60T2

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

50N60

封裝外殼

TO-220-3L

文件大小

697.38 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-6 9:38:00

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RM50N60T2規(guī)格書詳情

General Features

Vds =60V,lo =50A

Rds(on) <20mQ @ Ves=10V.

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stabiity and uniformity with high Ex

Excelent package for good heat dissipation

‘Special process technology for high ESD capabilty

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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