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RM6A5N30S6中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RM6A5N30S6
廠商型號

RM6A5N30S6
功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
絲印標識

6A5N30
封裝外殼

SOT-23-6
文件大小

335.97 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-27 18:00:00
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RM6A5N30S6規(guī)格書詳情

General Features

VDS =32V,ID =6.5A

RDS(ON) < 35m? GS=10V

RDS(ON) < 55m? GS=4.5V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized Avalanche voltage and current

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