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RMD20N60DFV中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RMD20N60DFV
廠商型號(hào)

RMD20N60DFV

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

D20N60

封裝外殼

DFN5X6-8L

文件大小

288.37 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-5 8:31:00

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RMD20N60DFV規(guī)格書詳情

General Features

VDS =60V,ID =20A

RDS(ON) <35mΩ @ VGS=10V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

Special process technology for high ESD capability

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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