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RMM2080
廠商型號

RMM2080
功能描述

2-18 GHz Wideband Variable-Gain Driver Amplifier
文件大小

479.76 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 List of Unclassifed Manufacturers
企業(yè)簡稱

ETC

中文名稱

未分類制造商
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更新時間

2025-3-20 9:29:00
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RMM2080規(guī)格書詳情

[Raytheon RF Components]

Description

The Raytheon RMM2080 GaAs MMIC device is a three-stage distributed medium-power amplifier with gain control capability. The circuit incorporates ion-implanted, 0.5-μm gate MESFET devices fabricated on a semi-insulating GaAs substrate. The first two stages are 4-cell distributed amplifiers utilizing dual-gate FETs for improved gain per stage and to facilitate gain control (4x125μm & 4x250μm). The third stage is a 3-cell distributed dual-gate FET amplifier designed for high output power and efficiency (3x500μm). The RMM2080 amplifier is designed for interconnection with microstrip transmission media using fully automatic assembly techniques.

Features

◆ 2-18 GHz Bandwidth

◆ 24 dB Typical Gain

◆ ±2 dB Gain Flatness

◆ 20 dBm Output Power Typical

◆ Three Stages of Distributed Amplification

◆ Gain Control of up to 70 dB range

◆ Dual-Gate Ion-Implanted 0.5 μm FETs

◆ Chip Size: 4.14mm x 3.22mm x 0.1mm

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    RMM2080

  • 功能描述：

    2-18 GHz Wideband Variable-Gain Driver Amplifier

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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