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super-economicaltypedigitalstorageoscilloscope +Bandwidth:20MHz-200MHz +2-Channel +Samplerate:100MS/s-1GS/s +Ultra-thinbody +7inchhighresolutionLCD +SCPI,andLabVIEWsupported | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | ||
465.00MHzSAWFilter 465.0MHzSAWFilter ?CDMA450F-BandRFSAWFilter ?3.8x3.8x1.4mmSurface-mountPackage ?ComplieswithDirective2002/95/EC(RoHS) | MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所 | MuRata | ||
465.0MHzSAWFilter 465.0MHzSAWFilter ?CDMA450F-BandRFSAWFilter ?3.8x3.8x1.4mmSurface-mountPackage ?ComplieswithDirective2002/95/EC(RoHS) | rfm RF Monolithics, Inc | rfm | ||
NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorHigh-VoltageSwitchingApplications High-VoltageSwitchingApplications Features ?AdoptionofFBET,MBITprocess. ?Highcurrentcapacitance. ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ?High-speedswitching. ?Highallowablepowerdissipation. Applications ?DC/DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,mot | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社 | SANYO | ||
BipolarTransistor BipolarTransistor 150V,2A,LowVCE(sat),NPNSingleTP/TP-FA Features ?AdoptionofFBET,MBITprocess ?Largecurrentcapacity ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?High-speedswitching ?Highallowablepowerdissipation Applications ?DC/DCconverter,relaydrive | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.165V(Max)(IC=1A;IB=0.1A) ?Fast-Switchingspeed ?Highallowablepowerdissipation ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?DC/DCconverter ? | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
BipolarTransistor BipolarTransistor 150V,2A,LowVCE(sat),NPNSingleTP/TP-FA Features ?AdoptionofFBET,MBITprocess ?Largecurrentcapacity ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?High-speedswitching ?Highallowablepowerdissipation Applications ?DC/DCconverter,relaydrive | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
BipolarTransistor BipolarTransistor 150V,2A,LowVCE(sat),NPNSingleTP/TP-FA Features ?AdoptionofFBET,MBITprocess ?Largecurrentcapacity ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?High-speedswitching ?Highallowablepowerdissipation Applications ?DC/DCconverter,relaydrive | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
PWMControllerforDualBoostConverterwithLDO Features ?11Vto27VInputSupplyVoltageRange ?TwoStep-upRegulatorControllers .Peak-CurrentModeControl–FastTransient .100kHzto400kHzAdjustableSwitchingFrequency .10VGateDriveOutput ?10V,120mALDO ?5VLDO ?ProgrammableUVLOandHysteresis ?ProgrammableS | SILICONMITUSSilicon Mitus, Inc. 矽致微電子矽致微電子有限公司 | SILICONMITUS | ||
N-ChannelEnhancementModeMOSFET | SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成電路大中集成電路股份有限公司 | SINOPWER |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+R
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
50V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
RN1002,
- 最大耗散功率：
0.1W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
A-57
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
0.1
- wtest：
0.1
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
RN1202
- 制造商：
TOSHIBA
- 制造商全稱：
Toshiba Semiconductor
- 功能描述：
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type(PCT Process)
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
16+17+ |
TO-92 |
6649 |
代理渠道正品-現(xiàn)貨庫存316 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA/東芝 |
24+ |
TO-92S |
2000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價(jià) | ||
24+ |
5000 |
公司存貨 |
詢價(jià) | ||||
TOSHIBA |
1844+ |
TO-92S |
6528 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
TOS |
2020+ |
TO-92S |
9500 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) | ||
TOS |
2020+ |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | |||
TOS |
24+ |
TO-92 |
16800 |
絕對原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢! |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA/東芝 |
23+ |
TO-92S |
9800 |
全新原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA/東芝 |
22+ |
TO-92S |
20000 |
深圳原裝現(xiàn)貨正品有單價(jià)格可談 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
23+ |
TO92 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) |
