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RN2110分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

RN2110
廠商型號

RN2110

參數屬性

RN2110 封裝/外殼為SC-75,SOT-416;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產品描述:AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=4.7K

功能描述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

封裝外殼

SC-75,SOT-416

文件大小

156.61 Kbytes

頁面數量

5

生產廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-5-18 17:01:00

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晶體管資料

  • 型號:

    RN2110

  • 別名:

    RN2110三極管、RN2110晶體管、RN2110晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+R

  • 性質:

    表面帖裝型 (SMD)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數:

    3

  • 可代換的型號:

    DTA143TE,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍數:

  • 圖片代號:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.4

產品屬性

  • 產品編號:

    RN2110,LXHF(CT

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 250μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-75,SOT-416

  • 供應商器件封裝:

    SSM

  • 描述:

    AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=4.7K

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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