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N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
N-ChannelEnhancementModeMos.FET | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChannelEnhancementModeMos.FET | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChannelEnhancementModeMOSFET | SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司 | SYNC-POWER | ||
30VN-ChannelMOSFET DESCRIPTION TheSSF2306usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V. GENERALFEATURES ●VDS=30V,ID=5A RDS(ON) | Good-Ark GOOD-ARK Electronics | Good-Ark | ||
Batteryprotection DESCRIPTION TheSSF2306usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V. GENERALFEATURES ●VDS=30V,ID=5A RDS(ON) | SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司 | SILIKRON | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司 | VBSEMI | ||
Batteryprotection DESCRIPTION TheSSF2306BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V. GENERALFEATURES ●VDS=29V,ID=5A RDS(ON) | SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司 | SILIKRON |
晶體管資料
- 型號(hào):
- 別名:
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-P+R
- 性質(zhì):
表面帖裝型 (SMD)
- 封裝形式:
貼片封裝
- 極限工作電壓:
50V
- 最大電流允許值:
0.1A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號(hào):
DTA143ZU,
- 最大耗散功率:
0.4W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號(hào):
H-15
- vtest:
50
- htest:
999900
- atest:
0.1
- wtest:
0.4
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào):
RN2306
- 制造商:
Toshiba
- 功能描述:
PNP -50V -100mA USM Bulk
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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TOSHIBA/東芝 |
24+ |
SOT-323 |
45000 |
熱賣優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
16+ |
SOT-323 |
3000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)! |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-323 |
3000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA/東芝 |
12+ |
SOT-323 |
3000 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價(jià) | ||
24+ |
5000 |
公司存貨 |
詢價(jià) | ||||
TOSH |
09PB |
SOT23 |
2900 |
全新原裝進(jìn)口自己庫存優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
SOT-323 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
23+ |
SOT-323 |
63000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-323 |
18800 |
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)! |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA/東芝 |
23+ |
SOT |
30000 |
代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) |