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SIE808DF

N-Channel20-V(D-S)MOSFET

DESCRIPTION Theattachedspicemodeldescribesthetypicalelectricalcharacteristicsofthen-channelverticalDMOS.Thesubcircuitmodelis?extractedandoptimizedoverthe??55to125°Ctemperaturerangesunderthepulsed0-Vto10-Vgatedrive.Thesaturatedoutputimpedanceisbestfitat

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多RS808M供應(yīng)商 更新時間2025-4-6 11:00:00