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零件編號(hào)	下載訂購	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
UM2106D	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UPG2106	文件：87.38 Kbytes Page：12 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION TheμPG2106TBandμPG2110TBareGaAsMMICforPAdriveramplifierwithvariablegainfunctionwhichweredevelopedforPDC(PersonalDigitalCellularinJapan)andanotherL-bandapplication.Thedevicecanoperatewith3.0V,havingthehighgainandlowdistortion.TheμPG2106TBis	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
UPG2106TB	文件：155.75 Kbytes Page：3 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION NECsUPG2106TBisaGaAsMMICforPAdriveramplifierswithvariablegainfunctionswhichwasdevelopedforL-bandapplications.Thedevicecanoperatewith3.0V,havinghighgainandlowdistortion. FEATURES ?LOWVOLTAGEOPERATION:VDD1=VDD2=3.0V,fRF=889to960MHz@	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG2106TB	文件：87.38 Kbytes Page：12 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION TheμPG2106TBandμPG2110TBareGaAsMMICforPAdriveramplifierwithvariablegainfunctionwhichweredevelopedforPDC(PersonalDigitalCellularinJapan)andanotherL-bandapplication.Thedevicecanoperatewith3.0V,havingthehighgainandlowdistortion.TheμPG2106TBis	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
UPG2106TB	文件：247.61 Kbytes Page：14 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES ?Operationfrequency:mPG2106TB:fopt=889to960MHz :mPG2110TB:fopt=1429to1453MHz ?Supplyvoltage:mPG2106TB,mPG2110TB:VDD1,2=2.7to3.3V(3.0VTYP.) ?Circuitcurrent:mPG2106TB,mPG2110TB:IDD=25mATYP.@VDD1,2=3.0V,VAGC=2.5V,Pout=+8dBm ?	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
VN2106	文件：457.83 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN2106N	文件：472.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VP2106	文件：456.67 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpeda	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VP2106	文件：636.88 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET GeneralDescription TheSupertexVP2106isanenhancement-mode(normally-off)transistorthatutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistors,andtheh	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VP2106	文件：755.93 Kbytes Page：14 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

晶體管資料

型號(hào)：
RTD2106
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
50HZ－Thy
性質(zhì)：
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BTX30/100,S2600B,T1N100A,TAG612-100,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
C-78
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市卓越微芯電子有限公司	RTD2120	REALTEK	2020+	QFP	9000	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
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更多RTD2106供應(yīng)商更新時(shí)間2025-4-26 14:08:00

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