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MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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FieldEffectTransistorSiliconN-ChannelMOSType(U-MOS??

LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Smallfootprintduetoasmallandthinpackage ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=5.5mΩ(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=46S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(

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MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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TPCP8006

FieldEffectTransistorSiliconN-ChannelMOSType(U-MOSIV)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Smallfootprintduetosmallandthinpackage ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=6.5mΩ(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=36S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) ?Enhancementmode

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NIUHANGDongguan City Niuhang Electronics Co.LTD

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紐航電子廣東紐航電子科技有限公司

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更多RYBS8006供應(yīng)商 更新時間2025-3-26 14:16:00

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